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铠侠:今年是公司发明NAND闪存35周年,芯片容量从4Mb增长到1.33

作者:夏冰 2022-02-11 23:16  来源:C114通信网  阅读量:5366   
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据TechPowerUp消息,铠侠美国公司今天宣布,2022年是该公司发明NAND闪存35周年。 据报道,1987年,NAND闪存迎来...

据TechPowerUp 消息,铠侠美国公司今天宣布,2022 年是该公司发明NAND闪存35周年。

铠侠:今年是公司发明NAND闪存35周年,芯片容量从4Mb增长到1.33

据报道,1987 年,NAND 闪存迎来了全新的技术时代,淘汰了之前使用多年的技术和产品自 35 年前从零开始,NAND 闪存市场已增长到 700 亿美元在芯片密度方面,闪存芯片从 4 Mb 增长到 1.33 Tb,增长了 333,000 倍

铠侠美国公司高级副总裁兼首席营销官 Scott Nelson 表示:闪存是一种改变游戏规则的东西,它会继续经受住时间的考验想象一下即将发生的事情 mdash,mdash, 智慧城市的愿景会实现吗真正的自动驾驶汽车会带我们从一个地方到另一个地方吗无论未来如何,铠侠都将继续引领前进的道路,投资和发展使存储密度更高,成本更低的技术

近日西安市新冠疫情爆发,当地进行了封城。根据集邦咨询调查,三星在西安设有两座大型工厂,均用以制造3DNAND闪存芯片,占到该公司NANDFlash产能的43%,占全球NAND产能的13%

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