据业内人士透露，国际IDM正率先将将高利润的汽车MOSFET和IGBT功率模块生产从8英寸迁移至12英寸，以提高其在该领域的竞争力。
《电子时报》援引该人士称，日本东芝半导体最近宣布计划投资1，000亿日元，扩大其12英寸汽车电源模块fab产能英飞凌和AOS也大胆采用12英寸晶圆产能内部生产高端汽车MOSFET和IGBT功率芯片解决方案，具有高毛利率和技术门槛
在将生产重点转向汽车电源模块的同时，IDM们也在削减用于IT应用的MOSFET的产量，导致消费级MOSFET短缺，并促使客户将订单转向中国台湾的供应商消息人士称，后者都在加强SGT MOSFET的生产，以满足商用笔记本电脑和台式电脑的订单
由于MOSFET控制电力流，电动汽车比传统内燃机汽车使用更多的MOSFET。因此，由于MOSFET供应不足，现代汽车的电气化战略可能会受到影响。
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