5nm工艺之后，台积电正在全力冲刺3nm，并且准备了多个版本，至少包括N3，N3E，N3B。
N3是常规标准版本，N3E原本应该是性能增强版，2024年量产，现在却变成了精简版，规格上缩水，好消息是进度提前了。三星的2nm工艺是一大进步，创新亮点不少，而且跟现在已有的2nm技术不同mdash;mdash;此前IBM全球首发了2nm芯片，指甲盖大小的面积就可以集成500亿晶体管，相比7nm工艺提升了45%的性能或者减少75%的功耗，预计2024年量产。
根据消息显示，N3E工艺将使用更少的EUV光刻层，从25层缩减到21层，投产难度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶体管密度会比N3版本低大约8％，相比N5仍然会高60％。
相比之下，N3的晶体管密度比N5要高70％。。
N3E工艺将在本月底完成设计，而投产时间将从2023年第三季度提前到2023年第二季度。
N3工艺也安排在2023年，但暂时不清楚具体哪个季度。
至于N3B版本，目前只知道它是在N3的基础上，针对特定用户的改进，但其他一无所知。
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